JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.

Fujitsu ja Fujitsu Laboratories kertovat kehittäneensä GaN- eli galliumnitridiin pohjautuvien HEMT-transistorien (high electron mobility transistors) kiderakenteen, jossa voi kasvattaa sekä virtaa että jännitettä. Rakenteen ansiosta voidaan transistorin antoteho kasvattaa kolminkertaiseksi.

Mikroaaltoalueelle suunnattu uusi GaN HEMT -tekniikka voi toimia erilaisten laitteiden kuten säätutkan tehovahvistimena. Soveltamalla uutta tekniikkaa odotetaan tutkan havaintoalueen laajenevan 2,3-kertaisesti.

Laajentaakseen erilaisien laitteiden kattavuusaluetta on kasvatettava tehovahvistimina käytettävien transistorien antotehoa. Perinteisellä tekniikalla esimerkiksi korkeamman jännitteen soveltaminen voisi helposti vahingoittaa transistorin muodostavia kiteitä. Siksi oli teknisesti vaikeaa lisätä virtaa ja jännitettä samanaikaisesti, mikä tarvitaan korkean tehon GaN HEMT:n toteuttamiseksi.

Fujitsu ja Fujitsu Laboratories ovat nyt kehittäneet kiderakenteen, joka kestää korkeampaa käyttöjännitettä hajauttamalla jännitettä estokerroksella ja siten estää kidevahingot.

Tekniikka on mahdollistanut Fujitsun saavuttaa maailman korkeimman tehotiheyden porttileveyden millimetrille 19,9 wattia GaN HEMT:lle.

Suuri jännite- ja virtakestoisuus saavutettiin sijoittamalla korkearesistanssinen AlGaN-välikekerros elektronin syöttökerroksen ja elektronikanavakerroksen väliin. Täten jännite voi hajaantua sekä elektronin syöttökerrokseen että AlGaN-välikekerrokseen. Jännitekeskittymää lieventämällä kiteen elektronien kineettisen energian lisäys tukahdutetaan ja sähköisen syöttökerroksen vaurioituminen voidaan estää, mikä johtaa parempaan käyttöjännitteeseen, joka voi olla jopa 100 volttia.

GaN HEMT -transistoreita käytetään laajalti suurtaajuuksisina tehovahvistimina pitkän matkan radioaaltojen sovelluksissa, kuten tutkissa ja langattomassa viestinnässä. Odotetaan myös, että niitä käytetään säätutkiin tarkkailemaan tarkasti paikallisia rankkasateita sekä millimetrien aaltokaistalla viidennen sukupolven matkaviestinnässä (5G).

Veijo Hänninen
Nanobittejä 4.8.2018

 
 

ETNtv

Watch ECF18 videos

 

Tämän takia Huaweita pelätään

Maailmalla on käynnissä omituinen sota, jossa yhä useammat maat kieltävät kiinalaisten laitevalmistajien laitteiden käytön tulevissa 5G-verkoissa. Mutta miksi amerikkalaiset pelkäävät Huaweita? MIT Technology Review -lehti listaa kuusi syytä.

Lue lisää...

Ajoneuvoista voidaan tehdä tietoturvallisia

Tulevaisuudessa V2I- (vehicle to infrastructure) ja V2V-yhteydet (vehicle to vehicle) saavat rinnalleen V2X-tietoliikenteen (vehicle to everything). Kyse on miljardin dollarin markkinoista, joka kiinnostaa kuluttajaakin yhä enemmän. Yksi tavoite V2X-yhteyksissä on vähentää onnettomuuksia informaation vaihdon avulla.

Lue lisää...

LATEST NEWS

 

NEWSFLASH

 
ETN_fi The next Linux kernel will be called 5.0. See https://t.co/w0D75j9wCI and https://t.co/HkrVCuyfST
ETN_fi Digi-Key arpoi Electronicassa Chevy Camaro V8 -avoauton. Voittajaksi valikoitui regensburgilainen opiskelija Marco.… https://t.co/3P0cNN5wfZ
ETN_fi ams:n 3D-kasvontunnistus tulossa Snapdragonille: ams and Qualcomm Technologies to focus engineering strengths on ac… https://t.co/XpYvAvGEp1
ETN_fi Disobey-hakkeritapahtuma tammikuussa neljättä kertaa Helsingissä https://t.co/pBdYFx7jUr @Disobey_fi
ETN_fi Viranomaisverkko Virveen tulee mobiililaajakaista ensi vuonna. Kumppanioperaattorikin selviää kilpailutuksessa v. 2… https://t.co/TtNorpIQy2