JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.

Germanium on tehokkaampi puolijohde kuin pii, mutta piin käsittelyn edullisemmat kustannukset antoivat sille aikoinaan etulyöntiaseman elektroniikan perusmateriaalina. Nyt uusi tutkimus esittelee taloudellisen menetelmän germaniumin kiteisen ohutkalvon kasvattamiseksi ja haastaa siten piin ylivaltaa.

- Tämä on ensimmäinen kerta, kun venyttämättömän puolijohteen van der Waals -epitaksiassa on onnistuttu, toteaa tohtorikoulutettava Aaron Littlejohn Rensselaer Polytechnic Institutesta. - Tutkimuksemme löysi kapean ikkunan, hyvin erityisistä olosuhteista, jotka toimivat, hän jatkaa.

Tekniikka tuottaa joustavan germaniumin, joka voidaan poistaa substraatista. Se voisi toimia myös alustana myöhempää lisäaineiden kerryttämistä varten joustaville transistoreille ja aurinkokennoille tai jopa puettaville optoelektroniikalle.

Perinteisesti puolijohdevalmistajat hyödyntävät epitaksiaa puolijohteiden ja niiden kerrosten tuottamiseksi. Täysin yhteensopivat kerrokset tuottavat optimaalisen varauskuljettajien liikkuvuuden. Jos puolijohteen ja substraatin atomiset jaksot eivät aivan täsmää, tavanomainen epitaksia luo vähemmän tehokkaan materiaalin.

Germaniumilla on vain vähän hyviä yhteensopivia sovituksia ja ne, jotka ovat olemassa, kuten galliumarsenidi, ovat kalliita. Ongelman ratkaisemiseksi tutkijat kasvattivat germaniumkalvon kiillealustalle. Tässä materiaalissa atomeilla ei ole kerroksittaisia kemiallisia sidoksia. Kiillekerroksen pinta ei myöskään sisällä riippuvia sidoksia, joten sille kerrostuneella germaniumilla ei ole kemiallisesti sidoksia kiilteen jaksollisuuteen.

Sen sijaan germaniumattomien järjestelyä ohjaavat van der Waalsin voimat eli neutraalien atomien heikot vuorovaikutukset. Tämä mahdollistaa germaniumin kasvavan relaksoituneeksi kalvoksi huolimatta näiden kahden materiaalin erilaisista kiderakenteista (23 prosentin ero atomiväleissä).

- Aiemmat tutkimukset viittasivat siihen, että puhtaita puolijohteita ei voida epitaksisesti kasvattaa kiilteelle käyttäen van der Waals -voimia millään lämpötilalla, mutta olemme nyt osoittaneet toisin, toteaa Littlejohn.

- Nyt ennakoimme, että myös muita ei-kerrostettuja alkuaineita tai seostettuja materiaaleja voidaan kasvattaa kiilteelle van der Waals -epitaksian kautta.

Veijo Hänninen

Nanobittejä 4.12.2017

 
 

ETNtv

Watch ECF18 videos

 

Tämän takia Huaweita pelätään

Maailmalla on käynnissä omituinen sota, jossa yhä useammat maat kieltävät kiinalaisten laitevalmistajien laitteiden käytön tulevissa 5G-verkoissa. Mutta miksi amerikkalaiset pelkäävät Huaweita? MIT Technology Review -lehti listaa kuusi syytä.

Lue lisää...

IoT-solmun voi toteuttaa valmiilla alustalla

Artikkelissa kuvataan, miten SoC-piirille suunnitellaan datankeruuseen, analyysiin ja ohjaukseen tarkoitettu IoT-solmu käyttäen Adesto Technologiesin SmartEdge-alustaa. Suunnittelussa paneudutaan erityisesti ohjaussilmukoiden nopeuttamiseen yhdistettynä tehokkaaseen tiedonsiirtoon ja parempaan turvallisuuteen.

Lue lisää...

LATEST NEWS

 

NEWSFLASH

 
ETN_fi The next Linux kernel will be called 5.0. See https://t.co/w0D75j9wCI and https://t.co/HkrVCuyfST
ETN_fi Digi-Key arpoi Electronicassa Chevy Camaro V8 -avoauton. Voittajaksi valikoitui regensburgilainen opiskelija Marco.… https://t.co/3P0cNN5wfZ
ETN_fi ams:n 3D-kasvontunnistus tulossa Snapdragonille: ams and Qualcomm Technologies to focus engineering strengths on ac… https://t.co/XpYvAvGEp1
ETN_fi Disobey-hakkeritapahtuma tammikuussa neljättä kertaa Helsingissä https://t.co/pBdYFx7jUr @Disobey_fi
ETN_fi Viranomaisverkko Virveen tulee mobiililaajakaista ensi vuonna. Kumppanioperaattorikin selviää kilpailutuksessa v. 2… https://t.co/TtNorpIQy2