JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.

Japanilainen Renesas on esitellyt sulautetun SRAM-muistin, jonka tehonkulutus valmiustilassa yltää ennätysalhaiseksi. Standby-tilassa yksi megabitti kuluttaa tehoa vain 13,7 nanowattia. Piiri on valmistettu Renesasin omalla SOTB-prosessilla (silicon-on-thin buried oxide) ja 65 nanometrin viivanleveydellä.

Prosessin avulla Renesas on päässyt eroon monista CMOS-pirien ongelmista, kuten alhaisella jännitteillä toimivien piirien kasvaneet vuotovirrat sekä rajajännitteiden suuri vaihtelu hilassa.

Yllämainitut ongelmat nostavat piirin tehonkulutusta valmiustilassa. Myös toimintaa alhaisilla jännitteillä on vaiea saavuttaa, mikä kasvattaa sulautetun järjestelmäpiirin tehonkulutusta.

Erittäin alhaisesta tehonkulutuksesta huolimatta Renesasin SRAM-lohkon nopeus on säilynyt. Nopeimmillaan dataa luetaan muistista 1,84 nanosekunnissa.

 

 
 

Tämä on seuraava askel piiritekniikassa: eFPGA

On selvää, että puolijohdealalla keskitytään vihdoin kasvavaan valikoimaan teknologioita, jotka prosessigeometrian kutistamisen sijaan katsovat uusia järjestelmäarkkitehtuureita ja käytettävissä olevan piin parempaa käyttöä uusien piiri- laite- ja kotelointisuunnittelun konseptien kautta. Kun astumme uudelle aikakaudelle, seuraava looginen askel näyttää olevan FPGA-piirin ja prosessorin eli CPU:n yhdistäminen: sulautettu FPGA.

Lue lisää...

CMOS-anturi valtaa konenäön

Vaikka CCD-kuvakennot saattavat edelleen olla välttämättömiä joissakin erikoissovelluksissa, CMOS-pohjaiset kuva-anturit valtaavat konenäkösovelluksia kiihtyvään tahtiin. Ne tuovat teollisuuden kuvannusjärjestelmiin uuden luokan suorituskykyä ja toiminnallisuutta.

Lue lisää...
 
 

ny template